А теперь хочу поговорить о памяти DDR5. Взгляд в будущее, так сказать. Итак, что же такое оперативная память DDR5 и чего следует от нее ожидать? Да и вообще когда нам ее ждать?
Читайте сразу обновленную информацию о DDR5 от 25.09.2017 года чуть ниже в статье
Конкретная дата выхода оперативки DDR5 еще не анонсирована, но прогнозируют ее появление к 2020 году. Хотя, как заверяют в JEDEC , в 2018 году мы уже увидим финальные спецификации и характеристики памяти DDR5. Ее уже сейчас активно разрабатывают.
А что пока известно о характеристиках? Совсем немного. Тактовую частоту планирует удвоить по сравнению с оперативной памятью DDR4, топовой на сегодняшний день. Также увеличится плотность чипов, что позволит увеличить объем каждой планки ОЗУ DDR5 в два раза (опять же по сравнению с DDR4). И снова-таки, как и с каждым предыдущим новым поколением ОЗУ, будет улучшена энергоэффективность. Правда пока нет точной информации с каким напряжением будет работать оперативная память DDR5 (уже есть, смотрите ниже ).
Возрадуйся читатель! Оперативную память DDR5 планируют выпустить немного раньше обещанных сроков. Выпуск перенесли на 2019 год. То есть на год назад.
Оперативная память DDR5 — проект
Помимо этого появилась новая информация о характеристиках памяти DDR5. Рабочая частота ОЗУ будет начинаться с отметки 4800 Mhz. А вот до каких высот она доберется остается только фантазировать. При том, что в предыдущем поколении (DDR4) частота начиналась с 2133 МГц, а сейчас некоторые представители этой памяти могут похвастаться частотой 4600 МГц.
Это конечно «слишком гениально «, но если применить простую пропорцию, то теоретически можно ожидать, что частоты оперативной памяти DDR5 могут подняться выше 10000 МГц в перспективе.
4600 / 2133 * 4800 = 10351… Mhz
Поживем увидим!
Теперь о рабочем напряжении. Стало известно, что напряжение продолжит снижаться и в грядущем поколении снизится до отметки 1,1 Вольта. Не очень большой прорыв в этом направлении, но он есть.
Предыдущие поколения работали на следующих показателях:
Чтобы избежать небольшой путаницы, следует упомянуть про видеопамять GDDR5 . Сейчас практически каждая современная видеокарта имеет память такого типа. Но память GDDR5 не имеет ничего общего с оперативной памятью DDR5. Технологически GDDR5 это тот же DDR3, только заточенный под видеокарту. Точно так же, как и GDDR3 технологически был идентичен памяти DDR2. Не путайте!
К слову будет сказано, материнская плата, которая поддерживает видеокарты с графической памятью GDDR3, точно также хорошо будет поддерживать видеокарты с памятью GDDR5. Это несколько отличается от ОЗУ, где под каждое новое поколение оперативной памяти изменяется интерфейс ее подключения (слот).
Самый главный вывод по этому пункту это то, что DDR5и GDDR5 — это совершенно разные и вещи!
Вот такие вот дела у нас с оперативной памятью DDR5. Ждем. Хотя сейчас очень многие все еще сидят на DDR3, никак не могут перейти на DDR4. Но я думаю это ненадолго. Скоро DDR4 полностью вытеснит DDR3. Остается только посочувствовать тем, кто собирает новые компьютеры на базе DDR3, если только их материнка не поддерживает оба типа памяти.
Вы дочитали до самого конца?
Была ли эта статься полезной?
Да Нет
Что именно вам не понравилось? Статья была неполной или неправдивой?
Напишите в клмментариях и мы обещаем исправиться!
Компания SK Hynix представила детали о первой микросхеме памяти типа DDR5. Стандарт ещё не завершён Jedec, но это никогда не останавливало производителей.
Новая память должна обеспечивать удвоение пропускной способности и удвоение плотности, по сравнению с DDR4. Также будет улучшена канальная эффективность. Донкьюн Ким, конструктор микросхем в Hynix, представил спецификацию микросхемы памяти DDR5. Этот чип является 16 Гб микросхемой SDRAM , работающей со скоростью 6,4 Гб/с на контакт. Напряжение питания составляет 1,1 В, а площадь кристалла - 76,22 мм 2 . Чип изготавливается по 1y нм технологии.
Для уменьшения помех в микросхеме были применены ряд новых техник, включая модифицированную петлю слежения за задержками с оборотом фаз и осциллятор со слежением за подачей сигнала. Увеличению скорости памяти способствовала специальная система тренировки записи.
Ожидается, что первые рыночные образцы памяти DDR5 появятся уже в конце текущего года.
Один из сотрудников исследовательского подразделения SK Hynix Ким Дон-Кьюн заявил, что память стандарта PC5 DDR5 может появиться на рынке уже в следующем году.
Первыми на рынке будут представлены модули стандарта DDR5-5200, что почти вдвое выше, чем первоначально у DDR4-2666. Дон-Кьюн заявил: «Мы обсуждаем несколько концептов пост-DDR5. Один концепт - это поддержание нынешней тенденции по ускорению передачи данных, а другой - комбинирование технологии DRAM с процессом технологий систем-на-чипе, таких, как CPU ». Дополнительных пояснений специалист не дал.
В прошлом году на SK Hynix создали работающий прототип, 16-гигабитный (2 ГБ) чип DDR5 DRAM, работающий на скорости 5200 МТ/с при напряжении 1,1 В. Это значит, что модуль с шиной 64 бита сможет работать на скорости 41,6 ГБ/с.
При этом у SK Hynix есть собственные разработки по повышению производительности чипов DDR5, не нарушая стандартов. «Мы разработали мультифазную синхронизацию, которая позволяет поддерживать напряжение в ходе высокоскоростных операций в чипе на низком уровне, размещая множество фаз внутри интегральной схемы так, что питание, используемое на каждой фазе, низкое, но скорость высокая благодаря объединению», - сообщил Ким.
Также он сообщил, что уже ведётся разработка стандарта DDR6, которому поставлена задача удвоения пропускной способности и плотностей, по отношению к DDR5.
Потребность в модернизации оперативной памяти сейчас вызвана не столько экосистемой PC, сколько портативными устройствами и электроникой самоуправляемых автомобилей.
Один из крупнейших производителей оперативной памяти, SK Hynix, разработала память DDR5 объёмом 16 Гб, которая, по словам разработчиков, является первой в мире памятью, полностью отвечающей стандартам JEDEC.
DDR5 - это следующее поколение оперативной памяти, которое предложит высочайшую скорость и плотность при сниженном потреблении энергии, по сравнению с DDR4. Память, в первую очередь, предназначена для применения в отраслях с большим обменом данными, например, в Big Data, искусственном интеллекте и машинном обучении.
Новые 16 Гб чипы DRAM изготовлены по 1Y-нм технологии и поддерживают скорость передачи данных в 5200 Мб/с. Производитель ожидает, что в массовое производство эти чипы поступят в 2020 году. Ожидается, что с этого времени на память DDR5 появится большой спрос, и уже в 2021 году она займёт 25% рынка ОЗУ, а годом позднее - 44%.
Компания Samsung анонсировала прототипы 8-гигабитной памяти LPDDR5, которую фирма готовит в связи с подготовкой к сетям 5G.
Южнокорейский гигант успешно протестировал 8 ГБ модули памяти, собранные из 8 чипов LPDDR5 объёмом 8 Гб. Этот анонс выпущен вместе с традиционными обещаниями по «повышению производительности» и «снижению энергопотребления» .
Представленная память использует последнюю спецификацию DDR5, разработка которой ещё не окончена. Теоретически, память LPDDR5 может работать на 6,4 Мб/с, в то время как LPDDR4X работает на 4,26 Мб/с.
Улучшенное энергопотребление новой памяти достигается за счёт введения «режима глубокого сна». В результате, по сравнению с LPDDR4X, энергопотребление LPDDR5 снижается вдвое.
Когда же память LPDDR5 будет доступна, ещё не ясно, но Samsung явно подготовилась к этому моменту.
Ассоциация JEDEC этим летом должна завершить спецификацию памяти DDR5. Несмотря на это некоторые производители уже имеют промышленные образцы памяти этого типа.
Изначально, память DDR5 должна иметь частоту в диапазоне от 4400 МГц до 6400 МГц. Однако главным изменением в этой памяти станет не производительность, а объём. Ожидается, что каждое ядро микросхемы будет иметь объём до 32 Гб.
Дело в том, что на рынке имеется высокий спрос на память, и современные задачи требуют большого объёма ОЗУ. Однако серверы физически могут работать лишь с ограниченным количеством модулей. Новый стандарт позволит производителям изготавливать микросхемы объёмом 16 Гб и 32 Гб со встроенной коррекцией ошибок. То есть подсистема памяти получит собственную ECC . Стандарт призван оптимизировать внутреннюю сегментацию и уменьшить тайминги. Кроме увеличения ёмкости ядра до 32 Гб память DDR5 унифицирует создание стеков, что облегчит производителям создание многоядерных чипов.
Пока использование памяти DDR5 видится только в серверах. Ожидается, что первое применение памяти DDR5 произойдёт в 2019/2020 годах, а её внедрение окажется стремительным. В Cadence, имеющей работающие чипы памяти нового типа, считают, что DDR5 обойдёт DDR4 к 2020 году.
Новый слайд от Rambus пролил немного света на цели в развитии памяти, показав будущее широкополосной памяти HBM3 и DDR5.
Дизайнер решений в области памяти отметил, что микросхемы обоих типов при готовности выйти на рынок будут произведены по 7 нм технологии. Таким образом, эти решения в области памяти не появятся раньше 2019 года. При этом конечные спецификации пока не утверждены и в будущем ещё могут измениться.
У Rambus уже есть работающий прототип DDR5. В фирме ожидают, что официальный стандарт будет нацелен на частоту от 4800 МГц до 6400 МГц, что вдвое больше, чем у DDR4.
Слайд также сообщает, что HBM3 вдвое увеличит пропускную способность по сравнению с HBM2, но при этом будет иметь более сложную конструкцию архитектуры.
Память DDR5 должна стать наследником нынешней DDR4, обеспечив удвоение полосы пропускания, по отношению к нынешним решениям. Появиться же новый стандарт должен в 2019 году.
Разработчик стандарта, JEDEC, сообщает, что базовая частота памяти DDR5 составит примерно 4800 МГц, что даже вдвое выше, чем у DDR4, и опережает самые лучшие образцы современной памяти от G.Skill и Corsair, рабочая частота которых доходит до 4600 МГц.
Пропускная способность памяти составит 6,4 Гб/с, обеспечивая максимально 51,2 ГБ/с, что вдвое выше нынешних 3,2 Гб/с и 25,6 ГБ/с. Новая версия также позволит снизить напряжение 64-битного линка до 1,1 В и увеличить длину пакета с 8 до 16 бит при 1,2 В. Интересно, что регулировка напряжения будет осуществляться на самой планке памяти, а не на материнской плате. Производители процессоров рассчитывают увеличить число каналов памяти с 12 до 16, что позволит удвоить объём поддерживаемой памяти до 128 ГБ.
Что касается цены на память, то этот вопрос остаётся открытым, однако учитывая современную стоимость памяти, вряд ли скачок цены окажется слишком большим.
Сейчас характеристики памяти DDR5 кажутся удивительными, однако факт наличия работающего прототипа этой памяти впечатляет ещё больше. Вице-президент по маркетингу продуктов Rambus Хемант Дулла заявил: «… мы первые, кто получил наборы чипов DDR5 DIMM. Мы рассчитываем на производство в 2019 году, и мы хотим быть первыми на рынке, чтобы помочь партнёрам запустить технологию» . О том, когда же технология будет готова для рынка, Дулла заявил: «… осталась всего пара кварталов, не пара лет… Все хотят получить более широкую шину памяти» .
Ассоциация JEDEC объявила о разработке памяти типа DDR5, которая будет обладать улучшенной производительностью и энергоэффективностью, по сравнению с прошлыми технологиями DRAM.
Планируется, что новая память удвоит пропускную способность, по сравнению с DDR4, а также обеспечит более высокую канальную эффективность. Эта эффективность, наряду с более дружественным интерфейсом для серверов и клиентских машин, обеспечит высокую производительность и улучшенное управление питанием в широком спектре применения.
По мере того, как спрос на ёмкость и скорость DRAM увеличивается, технологии Hybrid DIMM, такие как JEDEC NVDIMM-P, обеспечат новые решения в области памяти, оптимизированные по стоимости, использованию энергии и производительности. В дополнение к нынешнему стандарту NVDIMM-N, NVDIMM-P предложит новые высокоёмкие модули для вычислительных систем.
Также ассоциация сообщила, что планирует провести глубокую техническую работу над памятью DDR5 и NVDIMM-P для обеспечения лучшего понимания стандарта и более быстрого его внедрения промышленностью.
В ходе IDF было сказано, что мы увидим как минимум ещё одну спецификацию памяти DDR .
Теперь же появилось подтверждение, что JEDEC готовит первую версию спецификации DDR5 к концу этого года. Однако до выхода этой памяти на рынок придётся подождать ещё 4 года.
Ранее некоторые эксперты отмечали, что DDR4 станет последней спецификацией памяти DDR4, после чего произойдёт переход к более совершенной ОЗУ, такой как PCM (фазопеременной ОЗУ) или к MRAM (магниторезистивной памяти). Однако сейчас память этого типа по-прежнему находится в разработке, и её применение может оказаться слишком дорогим в производстве. Также промышленность пока не испытывает необходимости в новом, более быстром типе памяти, однако такие направления как виртуальная реальность могут стимулировать её развитие.
Память DDR5 предложит меньшие и более плотные чипы, которые будут изготовлены по передовым технологическим процессам. Спецификация DDR4, утверждённая много лет назад, не учитывает возможностей нынешних 14 нм и 10 нм технологий, а опирается на 40 и 50 нанометровые нормы.
Отмечается, что память DDR5 просуществует до 2025 года, после чего и будет представлена оперативная память нового типа.
Вывод на рынок оперативной памяти нового поколения — DDR5 — ожидается в следующем году, после того как летом JEDEC утвердит финальную спецификацию соответствующего стандарта, а разработчики и производители RAM предоставят клиентам микросхемы и контроллеры DDR5. Подготовка к серии релизов ведётся непрерывно. Компания Cadence , желая продемонстрировать успехи в работе с оперативной памятью нового поколения, показала прототип устройства DDR5-4400. В его основу легли 7-нм микроконтроллер Cadence и 8-Гбит чипы Micron DDR5.
Получившийся у Cadence прототип напоминает что угодно, кроме модуля оперативной памяти, тем не менее компактное исполнение решений DDR5 в целом не является проблемой.
Устройство обеспечивает передачу данных со скоростью 4400 МТ/с (DDR-4400) в сочетании с высокой CAS-латентностью (CL) — 42 такта. Впрочем, с ростом пропускной способности RAM обычно увеличиваются и тайминги. Типичные значения CAS-латентности для DDR составляли 2,5-3 такта, для DDR2 — 4-6, для DDR3/DDR3L — 9-11, для DDR4 — 15-17. Значение CL у DDR5 в 42 такта несколько удручает, но в серийных продуктах задержки могут быть снижены.
Напряжение памяти нового типа на 8,3 % ниже, чем у DDR4 — 1,1 В, допустимое отклонение составляет всего 0,033 В в большую или меньшую сторону. В JEDEC рассчитывают, что со временем DDR5 достигнет скорости передачи данных в 6400 МТ/с (DDR5-6400). В свою очередь, специалисты Cadence полагают, что на первых порах оперативная память DDR пятого поколения будет работать в режиме 4400 МТ/с из-за ограничений со стороны контроллера.
Разработчик делает акцент на том, что технология DDR5 позволит увеличить ёмкость микросхем с нынешних 4-16 Гбит (512 Мбайт — 2 Гбайт) до 16-32 Гбит (2-4 Гбайт). Соответственно, максимальный объём двустороннего модуля RAM данного типа для настольных ПК составит 64 Гбайт. Помимо этого, стоит отметить, что в DDR5 улучшены алгоритмы загрузки каналов памяти и энергосбережения, а также предусмотрена возможность интеграции контроллера напряжения.
График Cadence, иллюстрирующий соотношение разных типов оперативной памяти на рынке в 2012-22 гг., указывает на то, что в эру DDR5 низковольтные чипы (LPDDR5) будут распространены больше, чем обычные. В 2019-20 гг. влияние DDR5 на рынок вычислительных устройств будет небольшим, но уже в 2021 году DDR5 и LPDDR5 сравняются по объёмам выпуска с нынешним дуэтом DDR4 и LPDDR4, а ещё через год DDR пятого поколения станет доминирующим типом оперативной памяти.
